二极管的反向击穿

二极管击穿的主要原因是：两端所加的反向电压，**过某个特定值。二极管的反向击穿分两种，一种是齐纳击穿，一种是雪崩击穿。那么这两种反向击穿有什么区别呢？

    齐纳击穿。二极管在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，二极管反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使二极管电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 

    雪崩击穿。当二极管反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论二极管处于击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结*性损坏。


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